|
Институт
математики им. С. Л. Соболева СО РАН |
|
Блохин
Александр Михайлович заведующий
лабораторией, доктор физ.-мат. наук, профессор |
||
English |
630090, Новосибирск-90, Тел: (383) 363-46-52 |
|
|
Научные
интересы Научная
деятельность Педагогическая
деятельность
Последние публикации Монографии § A.
Blokhin, Yu. Trakhinin. Well-posedness of linear hyperbolic
problems: theory and applications. New York: Nova Science Publishers, 2006, 164
p. §
Система кровообращения и артериальная
гипертония: биофизические и генетико-физиологические механизмы,
математическое и компьютерное моделирование. Под ред. Ивановой Л.Н.,
Блохина А.М., Маркеля А.Л. Новосибирск, изд. СО РАН, 2008г., 252 с. § A.M.
Blokhin, R.S. Bushmanov, E.V. Mishchenko, A.S. Rudometova. Qualitative analysis of
hydrodynamical models of charge
transport in semiconductors. Nova Science Publishers INC, 2011, 160 p. § А.М. Блохин, Бушманов Р.С., Рудометова А.С. Качественный
анализ гидродинамических моделей переноса зарядов в полупроводниках. Учебное
пособие. Новосибирск, Изд-во Новосибирского Государственного Университета,
2011, 185 стр. § А.М. Блохин, Д.Л. Ткачев.
Обоснование гипотезы Куранта – Фридрихса в задаче об обтекании клина. Новосибирск, Тамара Рожковская, 2011, 122 стр. Статьи §
А.М. Блохин, А.С. Ибрагимова, Б.В. Семисалов. Конструирование
вычислительных алгоритмов для задачи о баллистическом диоде. Журнал
вычислительной математики и математической физики, 2010, Т.50, № 1, стр.188–208. §
А.М. Блохин,
И.А. Ануфриев. Корректность линеаризованной задачи о свехзвуковом обтекании
клина в случае произвольных возмущений. Сибирский журнал индустриальной
математики, 2010, Т.XIII, № 1, стр.3–17. §
А.М. Блохин,
Б.В. Семисалов. Конструирование одного класса вычислительных алгоритмов в
задаче о баллистическом диоде. Математическое моделирование, 2010, Т.22,
№ 7, стр.3–21. §
А.М. Блохин,
А.С. Ибрагимова. К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D
кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния. Математическое
моделирование, 2010, Т.22, № 9, стр.79–94. § А.М. Блохин, Д.Л.
Ткачев. Глобальная разрешимость и сходимость решений гидродинамической
модели переноса заряда в полупроводниках. Сборник науч.работ «Неклассические
уравнения математической физики», изд-во ИМ СО РАН, 2010, стр. 34–49. § A.M.
Blokhin, D.L. Tkachev. Local-in-time well-posedness of a regularized
mathematical model for silicon MESFET. ZAMP, 2010, Vol.61, pp.849–864. § A.M.
Blokhin, A.S. Ibragimova, B.V. Semisalov. Design of Numerical
Algorithms for the Ballistic Diode Problem. Computational Mathematics and
Mathematical Physics, 2010, Vol. 50, №1, pp.180–200. § A.M. Blokhin, I.A. Anufriev.
Correctness of a linearized problem of supersonic flow past a wedge in
the case of arbitrary perturbations. Journal of Applied and Industrial
Mathematics, 2010, Vol.4, №4, pp.1–18. § A.M.
Blokhin, B.V. Semisalov. The construction of numerical algorithms for
the ballistic diode problem. Proceedings of IEEE Region 8 SIBIRCON-2010, Vol.1,
pp.432–437. § A.M.
Blokhin, S.A. Boyarskiy.
Construction of difference schemes for the moment equations of charge
transport in semiconductors. Proceedings of IEEE Region 8 SIBIRCON-2010,
Vol.1, pp.438–443. §
А.М. Блохин, Б.В. Семисалов,
Р.Е. Семенко. Численное исследование параметрической неустойчивости в
слоистых структурах. Математическое моделирование, 2011, Т.23, № 6, стр. 81–97. §
А.М. Блохин, Д.Л.
Ткачев. Обоснование метода установления для одной математической модели
переноса заряда в полупроводниках. Журнал вычислительной математики и
математической физики, 2011, Т.51, № 8, стр. 1495–1517. § A.M.
Blokhin, D.L. Tkachev. Justification of the Stabilization Method for a
Mathematical Model of Charge Transport in Semiconductors. Computational
Mathematics and Mathematical Physics, 2011, Vol.51, pp.1395–1417. §
А.М. Блохин, Н.В. Бамбаева.
К вопросу о t-гиперболичности нестационарной системы, описывающей течения
полимерных сред. Вестник НГУ. Серия: Математика, механика, информатика. 2011,
Т.11, вып. 2, стр.3–14. § A.M. Blokhin, A.S. Ibragimova. On Calculating the Electric
Potential for 2D Silicon Transistor with a Silicon Oxide Nanochannel.
Mathematical Models and Computer Simulations, 2011, Vol.3, № 2, pp.245–256. § A.M.
Blokhin, B.V. Semisalov. Design of numerical algorithms for the problem of
charge transport in a 2D silicon MOSFET transistor with a silicon oxide
nanochannel. Journal of Physics: Conference Series, 291(2011)012016. § A.M.
Blokhin, R.E. Semenko. Electrodynamical instability of layered structures. Quarterly
of applied math., S 0033-569X (2011)01225-7 |